G3商讯：关键词：MOS MOS管 无锡新洁能MOS
作者：乐通
随着身边的数码产品种类越来越丰富，充电需求正在日益增加，我们经常会发现手边的插线板不够用，或是电脑接口不够用，于是多口USB充电器这种高效的产品出现了。它具有多个USB接口，可以让我们为手机、平板、音箱等多个设备同时充电，从而节省了很多时间和资源。
今天就针对多口USB应用介绍一款4口5V 10A的高效方案。此方案在120V和230V AC输入时，平均效率均在89%以上。方案主控制器UCC28730D工作于QR模式，以实现谷底开关降低开关损耗，辅以两颗高压超结MOS实现双管反激，超结MOS相对于普通平面工艺MOS，具有更低的导通电阻，利于降低导通损耗，同时具有极低的栅极电荷，提供更快的开关速度。另外双管反激同普通单管反激电路相比，双管反激将漏感产生的尖峰能量回馈到输入电容上，而单管反激则是通过RCD电路将漏感产生的能量消耗掉，以确保MOS的Vds在安全范围内，因此双管反激可以进一步提升电源效率。
为了提升电源效率，次级采用同步整流，同步整流控制器采用UCC24632DBV。对于低压输出5V的应用，输出电流大，若采用肖特基整流，肖特基上的的损耗占输入功率的9%左右，而采用同步整流可以提升电源效率5%左右。无锡新洁能的Super Trench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。在大电流的应用中，晶片与引脚间的跳线电阻也不容忽视，如在一个有效值电流20A的电路中，1mΩ的跳线电阻将带来0.4W的损耗。新洁能创新的AI封装技术进一步降低MOS管内阻。
无锡新洁能股份有限公司(NCE Power)是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。坐落于无锡(滨湖)国家传感信息中心。 目前专注于MOS半导体功率器件(沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT)以及射频(微波)RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。拥有自主知识产权和“新功率”、“NCE Power”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。
公司主要团队人员是由志同道合的业界精英融合而成。其中不乏有功底深厚的20多年来一直潜心于功率半导体领域，先后在国内著名企业、新家坡和德国等国外机构从事研发工作的海归“科技领军与创业人才”，也有一批有着近10年经验的年青功率半导体工艺和器件专家。研发团队曾首创两项中国第一：即最先设计并大规模商业化大功率Trench-MOSFET(用于各种电动车够硬的产品应用能力，虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用控制器、UPS、汽车电子等领域);最先设计四块Masks并大规模商业化中、小功率Trench-MOSFET(广泛用于便携数码产品)，并取得多项中国发明专利。
