2014年7月8日美国加利福尼亚州旧金山
面向半导体行业提供创新的晶圆制造设备和服务的全球主要供应商科林研发(Lam Research Corp.)(纳斯达克股票代码：LRCX)今天推出了用于生产3D NAND存储器的新型薄膜沉积和等离子体蚀刻产品。随着存储器客户开始扩大这些新器件的生产，他们需要更好的工艺控制技术来进行高成本效益的制造。科林研发的新系统在三个重要方面满足了3D NAND存储单元的生产需求：堆迭沉积(VECTOR(R) Q Strata(TM))、垂直通道蚀刻(2300(R) Flex(TM) F系列)和钨字元线沉积(ALTUS(R) Max ICEFill(TM))。
3D NAND存储架构包含许多堆迭的薄膜对。为了使成品器件中的每一个存储单元都具有相同的性能，必须在每一个关键步骤中最大限度地减小水平和垂直方向的工艺误差。否则，一个步骤中的误差会被转移到后续步骤中，并在后续步骤中成倍放大，误差的累积会导致器件性能变差，成品率低。由于薄膜堆迭中有40对以上的薄膜，所以仔细控制即使轻微的误差也是至关重要的。科林研发的新产品能满足这些严格的控制要求。
新的VECTOR Q Strata PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统被用于沉积多层薄膜堆迭。针对3D NAND制程中的这个关键步骤，该系统能够实现氧化物/氮化物(ONON)和氧化物/多晶硅(OPOP)薄膜堆迭沉积。该系统匹配的反应室具有超低的缺陷率、薄膜应力和晶圆翘曲度，能沉积超光滑、一致的薄膜，避免复合误差。VECTOR Q Strata还提供业界领先的生产率，单位厂房面积的产量是目前最高的。随着这些堆迭中的薄膜层数不断增加，对高成本效益的生产来说，高生产率日益重要。
一旦成对薄膜堆迭被沉积好，便可用科林研发的2300 Flex F系列介电薄膜蚀刻产品蚀刻一个穿透这个堆迭的垂直通道。这个新系统能够在变形或侧壁损坏最小的前提下刻穿高深宽比的结构，而且还能严格控制整个晶圆蚀刻轮廓的均匀性。这种技术能力至关重要，因为即便是小的偏差也能导致存储单元间的通道尺寸不同，进而导致器件性能变化。一个专利的可调节能量的高离子能源可以满足这些要求。
ALTUS Max ICEFill系统是科林研发市场领先的钨沉积产品线中的最新产品，该系统通过无缝隙地填满形状复杂的3D NAND字元线来控制误差。这个新系统使用一项拥有专利的填充技术，利用由内而外的原子层沉积(ALD)工艺创建钨字元线。ICEFill工艺能完全填充横向(水平)线，且没有任何空隙，同时还能最低限度地减小垂直通道区的沉积。因此提高了器件的电气性能和产量。
科林研发负责全球产品的执行副总裁Rick Gottscho表示：“科林研发通过专注协作，正在开展更快、更有效的创新，为我们的客户提供所需的支持能力。凭借客户和研发合作伙伴的支持及专业知识，科林研发现在推出了三款产品――VECTOR Q Strata、2300 Flex F系列和ALTUS Max ICEFill――这些产品在开发3D NAND存储器件和提高它们的产量上将发挥关键作用。”
前瞻性声明
本新闻稿包含的非历史事实的陈述属于前瞻性陈述，受1995年《私人证券诉讼改革法案》的安全港条款约束。这类前瞻性陈述包括但不限于以下方面的陈述：科林研发的产品表现，如满足客户对控制的需求的能力，性能质量，用户在运营中获得的生产率，无变形或无损坏地蚀刻的能力，对晶圆上的蚀刻轮廓均匀性的控制和无空隙地填充线的能力，以及科林研发更快、更有效的创新能力，为客户提供所需性能的能力和科林研发的设备在客户的产品线上发挥的重要作用。这类前瞻性陈述基于当前的信心和预期，在条件、重要性、价值和效果等方面存在风险、不确定性和变化，包括科林研发在10-K表年报的“风险因素”章节和科林研发向美国证券交易委员会呈报的其他文件中所讨论的内容。在条件、重要性、价值和效果方面存在的这些风险、不确定性和变化可能导致实际结果和本文中预测的结果存在实质性的差异。提醒读者注意不要过度依赖这些前瞻性陈述，这些前瞻性陈述只是截至本文发布日之前做出的。我们不承担为了反映本文发布后发生的情况而修订这些前瞻性陈述的义务。
关于科林研发
科林研发(Lam Research Corp.)(纳斯达克股票代码：LRCX)是向半导体行业提供创新的晶圆制造设备和服务的全球供应商。科林研发市场领先的沉积、蚀刻、剥离和晶圆清洗解决方案有助于客户成功开发粗细只有砂砾千分之一的芯片制程，并获得面积更小、速度更快、功耗更低的芯片。科林研发凭借合作、持续创新和恪守承诺，正在向原子级技术转型，帮助客户塑造半导体技术的未来。科林研发总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是标普500指数成分股公司，公司的普通股在纳斯达克全球精选市场上市，股票代码LRCX。
