测试芯片显示采用FinFET架构的1T-Fuse(TM)位单元拥有成功的读写能力以及卓越的编程位单元特性
Marketwired 2014年9月4日加拿大安大略省渥太华消息/明通新闻专线/――
领先的非易失性存储器一次性可编程(OTP)知识产权(IP)内核开发商Sidense今天宣布，公司以采用16纳米CMOS FinFET工艺技术制造的测试芯片，成功演示了1T-OTP位单元架构的读写能力。
Sidense创始人、首席技术官Wlodek Kurjanowicz表示：“Sidense的嵌入式一次性可编程存储器宏业已被授权给客户用于从0.18微米向下至28纳米的设计，同时也被证明适用于20纳米工艺技术。我们的分离通道1T-OTP宏被设计成随着采用更小的工艺技术而具有更高的可扩展性。看到我们的理论在诸如FinFET这样的新晶体管架构中得到验证，我们感到非常高兴。”
与20纳米标准晶体管相比，三维16纳米FinFET架构的性能更高、动态功耗更低、晶体管体积更小，而前者的优势在于能让设计师在一块芯片上实现更多的功能。更为重要的是，FinFET架构消除了短通道效应及随之而来的高泄漏电流，这两个因素妨碍传统平面晶体管器件的可扩展性。由于拥有这些属性，利用FinFET架构设计的器件对那些要求高性能和最小功耗的细分市场(如移动计算、通信和物联网上的高端处理器节点)具有很大的吸引力。
采用16纳米工艺技术的初步测试结果证实位单元工作正常，编程电压与28纳米的Sidense 1T-OTP差不多，且泄漏电流只有十分之一。编程位单元特性与20纳米和28纳米位单元相比一样好甚至更好，具有卓越的后烘烤位单元稳定性，并且已编程单元和未编程单元之间有非常大的余量。
台积电(TSMC)设计基础设施营销部高级总监Suk Lee表示：“台积电的16纳米技术凭借增强的速度性能和降低的功耗，是移动设备芯片设计的首选。非易失性存储器现在和将来仍是移动设备的关键部件。采用这种工艺技术的Sidense一次性可编程器件取得良好的初步测试结果令人鼓舞。”
关于Sidense公司
Sidense公司提供适用于标准逻辑CMOS工艺的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可编程(OTP)逻辑非易失性存储器(LNVM)智权(IP)。公司已经获得或正在申请的专利超过120项，公司提供基于创新型单晶体管1T-Fuse(TM)位单元的OTP存储器IP许可，1T-Fuse的制造过程不需要额外的掩模或工艺步骤。与闪存、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技术相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一个更好的现场可编程、高可靠性和高成本效益的解决方案，适合程序储存、密钥、模拟信号调整和设备配置等多种用途。
目前已有125家公司，包括许多顶级无厂半导体制造商和IDM厂商，采用Sidense 1T-OTP作为超过400种芯片设计的NVM解决方案。客户日益认识到，该解决方案能显著降低成本和能耗，还为从移动和消费电子设备到高温、高可靠性的汽车和工业电子设备等应用提供了更好的安全性和可靠性。该IP被提供给所有顶级半导体晶圆厂和精选的IDM厂商并得到它们的支持。Sidense总部在加拿大渥太华，并在世界各地设有销售办事处。了解更多详情
